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近日,经德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)认证,迈为股份采用低铟含量的TCO工艺结合SunDrive公司的铜电镀栅线,在全尺寸(M6,274.4cm²)单晶硅异质结电池上获得了25.94%的光电转换效率。
今年4月,迈为股份采用低铟含量的TCO工艺结合银包铜栅线,在同类型异质结电池上获得了25.62%的光电转换效率,并得到ISFH认证。短短四个月的时间,迈为的研发团队凭借高效创新能力,采用特殊的低铟TCO技术实现了与铜电镀工艺的完美结合。在此基础上,SunDrive优化了其无种子层直接电镀工艺,使电极高宽比得到提升(栅线宽度可达9μm,高度7μm)。双方联合将低成本异质结电池的转换效率提高至25.94%。
ITO靶材中的铟与低温银浆中的银,是异质结电池制造成本较高的主要原因之一。迈为与SunDrive此次合作研发并获得认证的电池采用磁控溅射的TCO镀膜方法,通过迈为研发的低铟含量解决方案,单片铟的使用量比常规(未采用低铟方案)的异质结电池降低了50%,如果叠加设备降铟的方案再降低40%,可以将铟用量降低到常规水平的30%;而铜电镀工艺省去了昂贵的银浆成本,这两项工艺的结合使异质结电池的制造成本降至新低,同时确保了优异的光电转化效率。
为推动异质结高效电池技术的量产应用,迈为股份不仅专注于先进异质结电池整线设备的研制,还从电池、组件等客户端角度出发,不断进行材料、量产性、制造成本等方面的延伸研发与论证优化,努力为行业提供更高效率、更低成本的异质结电池制造整体解决方案。此次低铟无银异质结电池效率的新突破,意味着公司在助力光伏行业“降本增效”的进程中又迈进了坚实的一步。